本项目以实现大功率深紫外LED芯片和将深紫外LED技术应用于院内感染控制为主要目标,将围绕提升深紫外氮化镓材料外延质量、AlGaN基深紫外LED有源层内量子效率,深紫外LED的p型氮化铝镓层掺杂和p面透光的隧穿结层替代传统p-GaN层,以及基于深紫外LED的新型医疗级消杀技术和该技术在院内感控(如空气消毒、物表消毒、抑菌等场景)应用的重大课题展开攻关。
1、深紫外LED部分:本项目预计实现在3英寸蓝宝石衬底上的深紫外LED单芯片封装后,在100毫安电流下的输出光功率大于40毫瓦(发光峰值波长<280纳米),其电光转化效率大于10%,寿命LT50大于30000小时。
2、针对我国医疗机构实际环境,开发适合中国国情的深紫外LED消毒技术,通过采用新型深紫外LED器件,实现杀菌消毒过程“零臭氧”“零电磁辐射”“零紫外泄露”,“无限制性人机共存”等业界首创性突破,并彻底阻断病毒在医疗系统的院内传播链,为深紫外LED在医疗系统的全面推广和使用奠定良好基础。具体指标为:
(1)病毒消杀方面:应具有广谱抗菌能力,对目标环境的常见菌群有较强的灭杀效果。A、空气消毒方向要求30立方米的实验环境下1小时的消杀率达到99.99%;实际环境下,如医院的门诊、住院病房及洁净手术室,单独或多台设备共用(每台设备的有效范围需在60m3)空气的病毒消杀率达到90%以上;B、物表消毒方向要求物表照射2分钟内,病毒消杀率达到99%;C、抑菌方向,要求7天抑菌率≥90%;
(2)安全方面:要求技术或采用创新技术的设备无紫外线泄露,或通过智能控制避免直接作用于人体,可以实现人机共存;
(3)环保方面:要求技术实验环境和实际应用时,无臭氧产生(测试要求产生量低于0.0000mg/m3);目前的感控、消杀技术耗材产生周期约为6—12个月,要求该技术实际使用过程中不产生耗材或耗材产生的周期18个月以上;考虑实际应用场景,需要为患者提供更好的休息环境,相关设备运行过程中噪音应不高于50dB,不产生噪音污染;
(4)节能方面:响应国家绿色低碳的要求,设备或技术能耗要满足国家1级能耗标准或功率整体不高于50W、耗电量实际应用情况下不高于1KW/天。
3、学术、专利与人才培养部分:项目预期国内外高水平学术期刊上发表论文10篇以上;申报原创技术发明专利10项以上,培养硕士/博士5名以上。
技术领域 | 电子信息,微电子技术,集成光电子器件设计、制造与工艺技术 | 需求类型 | 关键技术研发 | 有效期至 | 2025-06-20 |
合作方式 | 合作开发 | 需求来源 | | 所在地区 | |